发明授权
CN1940722B 用于浸润式微影制程的涂布材料以及浸润式微影的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 用于浸润式微影制程的涂布材料以及浸润式微影的方法
- 专利标题(英): Novel tarc material for impregnation type microimage process and method for impregnation type microimage process
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申请号: CN200610152429.8申请日: 2006-09-29
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公开(公告)号: CN1940722B公开(公告)日: 2011-09-14
- 发明人: 张庆裕
- 申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
- 专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
- 代理机构: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司
- 代理商 寿宁; 张华辉
- 优先权: 60/722,646 2005.09.30 US; 60/722,316 2005.09.30 US; 11/324,588 2006.01.03 US
- 主分类号: G03F7/004
- IPC分类号: G03F7/004 ; G03F7/20 ; G03F7/26 ; H01L21/027
摘要:
本发明是有关一种涂布于光阻层上用于浸润式微影制程的涂布材料以及浸润式微影的方法。该涂布材料包含聚合物和酸,聚合物实质性不溶于浸润式流体,酸用以中和来自光阻层的碱性抑制剂(quencher)。一种浸润式微影的方法,包含:形成一光阻层在一基板上,该光阻层包含一碱性抑制剂;形成一涂布材料层在该光阻层上,其中该涂布材料层包含:一酸,以及一聚合物。本发明能有效的改善和避免水纹缺陷。
公开/授权文献
- CN1940722A 用于浸润式微影制程的涂布材料以及浸润式微影的方法 公开/授权日:2007-04-04
IPC分类: