Invention Grant
- Patent Title: 半导体器件及其制造方法
- Patent Title (English): Semiconductor apparatus and method thereof
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Application No.: CN200610142142.7Application Date: 2006-10-08
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Publication No.: CN1945816BPublication Date: 2010-12-08
- Inventor: 山形修
- Applicant: 索尼株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 索尼株式会社
- Current Assignee: 索尼株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
- Agent 宋鹤
- Priority: 2005-292417 2005.10.05 JP
- Main IPC: H01L23/48
- IPC: H01L23/48 ; H01L23/12 ; H01L25/00 ; H01L21/60
Abstract:
提供了一种半导体器件以及其制造方法。一种半导体器件,将其封装成包括设置了电子电路的半导体,该半导体器件包括:基板;半导体芯片,其具有形成有电子电路的半导体主体、形成于半导体主体上的衬垫电极、以及连接到衬垫电极并从半导体主体表面突起的突起电极,其中从表面的背面侧将半导体芯片安装在基板上以在其上形成突起电极;和绝缘层,该绝缘层被形成为其中埋入有半导体芯片并从该绝缘层的顶表面将其抛光至暴露出突起电极的顶部的高度。
Public/Granted literature
- CN1945816A 半导体器件及其制造方法 Public/Granted day:2007-04-11
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IPC分类: