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发明公开
CN1953220A 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法 有权 许可

在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法
摘要：
本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法，包括在硅衬底表面形成具有沟槽和台面的图形结构和在衬底表面沉积铟镓铝氮薄膜步骤，其中所述的沟槽的深度大于6微米，并且沟槽两侧台面上生长的铟镓铝氮薄膜水平方向上互不相连。用本发明的方法可以通过简单的衬底处理而生长出高质量、无裂纹和面积较大的铟镓铝氮薄膜。本发明同时还公开了一种使用硅衬底制备铟镓铝氮发光器件的方法。
摘要（英）：

The invention relates to a method for preparing indium gallium aluminum nitrogen film on silicon substrate. Wherein, it comprises forming the patter structure with groove and table on the surface of silicon substrate, depositing indium gallium aluminum nitrogen film on the surface of substrate; the depth of groove is more than 6 micrometers; the indium gallium aluminum nitrogen films grown on two side tables are not horizontally connected. The invention can obtain high-quality, non-crack and large indium gallium aluminum nitrogen film. The invention also provides a method for preparing indium gallium aluminum nitrogen lighting device with silicon substrate.

公开/授权文献
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