发明公开
CN1969200A 使用微电阻率装置获得浅Rxo和深方位地层电阻率
失效 - 权利终止
- 专利标题： 使用微电阻率装置获得浅Rxo和深方位地层电阻率
- 专利标题（英）： Use of micro-resistivity apparatus to obtain shallow Rxo and deep azimuthal formation resistivity
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申请号： CN200580020274.6申请日： 2005-05-05
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公开(公告)号： CN1969200A公开(公告)日： 2007-05-23
- 发明人: 安东尼奥·发勃利斯 , 拉什德·卡霍卡哈尔
- 申请人： 贝克休斯公司
- 申请人地址： 美国得克萨斯
- 专利权人： 贝克休斯公司
- 当前专利权人： 贝克休斯公司
- 当前专利权人地址： 美国得克萨斯
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 秦晨
- 优先权： 10/842,828 2004.05.11 US
- 国际申请： PCT/US2005/015688 2005.05.05
- 国际公布： WO2005/111664 EN 2005.11.24
- 进入国家日期： 2006-12-19
- 主分类号： G01V3/02
- IPC分类号： G01V3/02
摘要：
一种电阻率测井工具，包括一个或多个衬垫(307a、307b、307c、307d)用于进行地层的方位电阻率测量。测量来自衬垫(307a、307b、307c、307d)、屏蔽电极(331b、331c、331b′、331c′)和测量电极的电流，同时监视各对监视电极(321a、321b、321a′、321b′)之间的电压差。此外，在衬垫上提供微电极(309a、309b)以得到高分辨率电阻率测量。
公开/授权文献
- CN100427968C 使用微电阻率装置获得浅Rxo和深方位地层电阻率 公开/授权日：2008-10-22