发明授权
CN1979787B 半导体器件及其形成方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体器件及其形成方法
- 专利标题(英): Semiconductor device and forming method thereof
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申请号: CN200610142730.0申请日: 2006-10-30
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公开(公告)号: CN1979787B公开(公告)日: 2011-03-23
- 发明人: 刘金平 , 贾德森·R·霍尔特
- 申请人: 国际商业机器公司 , 特许半导体制造有限公司
- 申请人地址: 美国纽约阿芒克
- 专利权人: 国际商业机器公司,特许半导体制造有限公司
- 当前专利权人: 国际商业机器公司,特许半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址: 美国纽约阿芒克
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 冯谱
- 优先权: 60/732,354 2005.10.31 US
- 主分类号: H01L21/336
- IPC分类号: H01L21/336 ; H01L21/324 ; H01L21/8238 ; H01L21/84 ; H01L29/78 ; H01L27/092 ; H01L27/12
摘要:
本发明的一些示范性实施例包括用于半导体结构的方法和半导体结构,该结构包括:包括源/漏区、栅介质、栅极、沟道区的MOS晶体管;碳掺杂SiGe区,其将应力施加在沟道区上,从而在随后的热处理之后碳掺杂SiGe区保持在沟道区上的应力/应变。
公开/授权文献
- CN1979787A 半导体器件及其形成方法 公开/授权日:2007-06-13