Invention Grant
CN1980082B 一种提高E1接口电磁兼容性的装置
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种提高E1接口电磁兼容性的装置
- Patent Title (English): Device for increasing electromagnetic compatibility of E1 interface
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Application No.: CN200510122887.2Application Date: 2005-12-01
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Publication No.: CN1980082BPublication Date: 2011-07-13
- Inventor: 张文国 , 封葳 , 吴学德
- Applicant: 中兴通讯股份有限公司
- Applicant Address: 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦A座6层
- Assignee: 中兴通讯股份有限公司
- Current Assignee: 中兴通讯股份有限公司
- Current Assignee Address: 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦A座6层
- Main IPC: H04B3/30
- IPC: H04B3/30 ; H04J3/00
Abstract:
本发明公开了一种提高E1非平衡接口的电磁兼容性的装置,包括发送模块和接收模块两大部分,其中发送模块又包括彼此串联连接的第一对外接口、第一保护电路和第一滤波电路,而接收模块又包括彼此串联连接的第二对外接口、第二保护电路和第二滤波电路,以及在所述第二对外接口和所述第二保护电路之间接入的第三滤波电路。本发明装置采用无源元件,实现简单,可以使得设备的对外接口能够承受±1kV的线-线和线-地的雷击浪涌,并且使用滤波电路可以使500KHz至800KHz的共模信号衰减33dB以上,3MHz、5MHz、7MHz附近的共模信号衰减20dB以上,大大提高了原有设备E1接口的电磁兼容性。
Public/Granted literature
- CN1980082A 一种提高E1接口电磁兼容性的装置 Public/Granted day:2007-06-13
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