发明授权
- 专利标题: 生长纳米级气泡的方法及其观察并控制装置与方法
- 专利标题(英): Method for growing nano grade air bubbles and its observation and control device and method
-
申请号: CN200510111757.9申请日: 2005-12-21
-
公开(公告)号: CN1987414B公开(公告)日: 2011-04-20
- 发明人: 张立娟 , 胡钧 , 方海平 , 樊春海 , 张益 , 沈广霞
- 申请人: 中国科学院上海应用物理研究所
- 申请人地址: 上海市嘉定区嘉罗公路2019号
- 专利权人: 中国科学院上海应用物理研究所
- 当前专利权人: 上海中兴科源环保科技有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市嘉定区嘉罗公路2019号
- 代理机构: 上海智信专利代理有限公司
- 代理商 薛琦
- 主分类号: G01N13/00
- IPC分类号: G01N13/00 ; G01N1/28 ; C25B1/00
摘要:
本发明公开了一种生长纳米级气泡的方法,其采用电化学方法,以疏水的、表面粗糙度不超过10纳米的导电材料为工作电极,同时作为生长纳米气泡的基底,并控制电压至少为0.7V的正压或负压,反应时间为1秒~2.5小时。本发明也公开了一种观测并控制上述生长纳米级气泡的装置和方法。本发明方法可以产生某一单体成分的纳米级气泡,具有很好重现性,操作简便;而且,通过改变电压和反应时间可以控制纳米气泡的大小和数量。
公开/授权文献
- CN1987414A 生长纳米级气泡的方法及其观察并控制装置与方法 公开/授权日:2007-06-27