一种铜互连技术大马士革制造工艺中的通孔处理方法

发明授权

CN1988131B 一种铜互连技术大马士革制造工艺中的通孔处理方法失效 - 权利终止

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专利标题： 一种铜互连技术大马士革制造工艺中的通孔处理方法
专利标题（英）： Through hole processing method in copper interconnection technology Damascus manufacturing process
申请号： CN200610147714.0

申请日： 2006-12-21
公开(公告)号： CN1988131B

公开(公告)日： 2011-08-31
发明人: 朱骏
申请人： 上海集成电路研发中心有限公司
申请人地址： 上海市张江碧波路177号4楼B区
专利权人： 上海集成电路研发中心有限公司
当前专利权人： 上海集成电路研发中心有限公司
当前专利权人地址： 上海市张江碧波路177号4楼B区
代理机构： 上海智信专利代理有限公司
代理商 王洁
主分类号： H01L21/768
IPC分类号： H01L21/768

摘要：

本发明公开了一种铜互连技术大马士革制造工艺中的通孔处理方法，使用可溶于显影液的通孔填充材料采用1～3次涂布、1～3次烘烤实现铜互连技术的大马士革通孔填充；然后通过1～3次显影工艺，移除介质膜表面多余的填充材料；最后通过光刻、刻蚀、清洗工艺完成大马士革图形制造。本发明可取代业界普遍使用的通孔填充材料回刻技术，大大减少了刻蚀对绝缘介质的损伤，进一步提高绝缘材料的电学表现。

摘要（英）：

This invention discloses a through hole process system in the Damascus production of a copper interlinkage technology, which utilizes through hole filling materials dissolved in developer to coat and bake for 1-3 times to realize the Damascus through hole filling of the copper interlinkage technology, then removes the filling material on the surface of the medium membrane by 1-3 times of development, finally finishes the Damascus patterns through photoetching, etching and cleaning.

公开/授权文献

CN1988131A 一种铜互连技术大马士革制造工艺中的通孔处理方法公开/授权日：2007-06-27

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/71	..限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造（H01L21/28，H01L21/44，H01L21/48优先）
H01L21/768	...利用互连在器件中的分离元件间传输电流