Invention Grant
- Patent Title: 等离子体处理方法以及等离子体装置
- Patent Title (English): Plasma processing method and plasma device
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Application No.: CN200610173257.2Application Date: 2006-12-15
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Publication No.: CN1992162BPublication Date: 2010-08-11
- Inventor: 西宫智靖 , 扇谷浩通 , 平本道广
- Applicant: 莎姆克株式会社
- Applicant Address: 日本京都
- Assignee: 莎姆克株式会社
- Current Assignee: 莎姆克株式会社
- Current Assignee Address: 日本京都
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 李贵亮
- Priority: 2005-376568 2005.12.27 JP; 2006-196558 2006.07.19 JP
- Main IPC: H01L21/00
- IPC: H01L21/00 ; H01L21/67
Abstract:
本发明提供一种在进行等离子体处理时及其前后,通过将被处理件(基板)切实地固定在托盘上,可提高处理性和操作性,并且在必要时能够容易地将基板从托盘上剥离的方法以及装置。在将载置在托盘上的基板载置在支承台上,通过等离子体对基板的表面进行处理的等离子体处理方法中,利用热剥离粘接构件粘接托盘和基板。作为热剥离粘接构件,可适宜地使用发泡剥离性薄板。由于热剥离粘接构件通常具有粘接性,所以在等离子体处理前后,托盘与基板被切实地固定,从而可获得良好的操作性,另一方面,在处理后,只需将托盘加热到规定的剥离温度以上,即可容易地将基板从托盘上剥离。
Public/Granted literature
- CN1992162A 等离子体处理方法以及等离子体装置 Public/Granted day:2007-07-04
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IPC分类: