实用新型
- 专利标题： 一种用于变频器的可控硅控制器
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申请号： CN202022863789.7申请日： 2020-12-03
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公开(公告)号： CN213693455U公开(公告)日： 2021-07-13
- 发明人: 于民东 , 赵秋毅 , 崔岳
- 申请人： 核工业理化工程研究院
- 申请人地址： 天津市河东区津塘路168号
- 专利权人： 核工业理化工程研究院
- 当前专利权人： 核工业理化工程研究院
- 当前专利权人地址： 天津市河东区津塘路168号
- 代理机构： 天津市宗欣专利商标代理有限公司
- 代理商 马倩
- 主分类号： H02M1/092
- IPC分类号： H02M1/092
摘要：
本实用新型公开了一种用于变频器的可控硅控制器，包括依次连接的振荡器电路、MOSFET驱动电路和脉冲隔离触发电路，MOSFET驱动电路分别连接光电隔离电路和供电电源电路，脉冲隔离触发电路与可控硅电子开关连接。本实用新型输出功率的最大等级超过100kW，具有控制速度快、效率高、成本低、无火花、无噪音等特点，控制稳定、可靠，实现了专用变频器与负载电机的中频可控硅电子开关的通断控制，满足专用变频器输出中频电压通断的控制要求。
