- 专利标题: 一种汞单质浸润测多孔介质材料孔隙率的装置
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申请号: CN202120617891.0申请日: 2021-03-26
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公开(公告)号: CN214539147U公开(公告)日: 2021-10-29
- 发明人: 王帅 , 王爱勋 , 王明昭 , 董云洁 , 黄明柱 , 杨敏 , 曹洋 , 李昇昊 , 肖修龙
- 申请人: 武汉建工集团股份有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市沌口经济开发区沌阳大道409号武汉建工大楼(武汉建工科技中心)
- 专利权人: 武汉建工集团股份有限公司
- 当前专利权人: 武汉建工集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市沌口经济开发区沌阳大道409号武汉建工大楼(武汉建工科技中心)
- 代理机构: 武汉宇晨专利事务所
- 代理商 王敏锋
- 主分类号: G01N15/08
- IPC分类号: G01N15/08
摘要:
本实用新型公开了一种汞单质浸润测多孔介质材料孔隙率的装置,包括汞室,用来提供和贮存试验所需的汞液;连接通道,用于将所述汞室内的汞液传递给液压室;液压室,包括用于承装试验材料和汞液的液压室桶体、与所述液压室桶体相连并对液压室桶体内的汞液施加压力的施压机构、位于液压室桶体的底部并用于加热液压室桶体内的空气与汞液的加热装置,用于对试验材料进行注汞加压处理。本实用新型的汞单质浸润测多孔介质材料孔隙率的装置结构简单,操作方便,可通过调节施加压力来测量多孔介质材料不同尺寸孔隙的孔隙率。