一种旁路晶闸管
摘要:
本实用新型提供了一种旁路晶闸管,从上往下依次设置有阴极侧铝层,阴极N+区,阴极P‑区,N‑基区,阳极P‑区,阳极P+区和阳极铝层。在阴极侧中心设有沟槽,其表面设有门极P+区,正对门极P+区下方设有凸出的波状型P‑基区,在正对波状P‑区的阳极侧表面设置有高浓度N+区。当本实用新型结构的门极施加触发信号后,晶闸管可以实现正向导通;当阳‑阴极超过反向击穿电压后,晶闸管能够实现精准电压击穿,且击穿位于中心门极处,具有防爆功能。本实用新型结构主要应用于柔性直流输电系统中,保护换流阀功率子模块安全运行。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件(H01L31/00至H01L47/00,H01L51/05优先;除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00;由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00)
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的(H01L29/96优先)
H01L29/70 ...双极器件
H01L29/74 ....晶闸管型器件,如具有四区再生作用的
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