实用新型
- 专利标题： 一种半导体反应设备
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申请号： CN202220637661.5申请日： 2022-03-22
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公开(公告)号： CN217485406U公开(公告)日： 2022-09-23
- 发明人: 项习飞 , 田才忠 , 林保璋 , 李士昌
- 申请人： 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司 , 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
- 申请人地址： 北京市大兴区北京经济技术开发区荣华南路15号院2号楼7层703室(北京自贸试验区高端产业片区亦庄组团);
- 专利权人： 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司,盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
- 当前专利权人： 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司,盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市大兴区北京经济技术开发区荣华南路15号院2号楼7层703室(北京自贸试验区高端产业片区亦庄组团);
- 代理机构： 北京市竞天公诚律师事务所
- 代理商 陈果
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67
摘要：
本实用新型涉及一种半导体反应设备，包括腔体以及多个进气部，进气部设置在腔体的顶部，进气部具有主体，主体上设置有凹部，在凹部上开设有多个进气孔，进气孔与腔体连通，半导体反应设备还包括进气管道，进气管道通过进气孔连通至腔体的内部。本实用新型能够提高半导体反应设备内硅片表面温度的均匀性。
IPC分类:
