实用新型
- 专利标题: 一种高透纳米银线合成导电薄膜
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申请号: CN202221330059.3申请日: 2022-05-19
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公开(公告)号: CN217933193U公开(公告)日: 2022-11-29
- 发明人: 刘彩风 , 王立鹏 , 司荣美 , 鲍彦广 , 张兴于 , 田露 , 孙嘉祺 , 赵文雄 , 刘玉苗 , 钟海 , 刘改勤 , 王春来 , 付利华
- 申请人: 天津宝兴威科技股份有限公司
- 申请人地址: 天津市宝坻区经济开发区宝中道Z8号
- 专利权人: 天津宝兴威科技股份有限公司
- 当前专利权人: 天津宝兴威科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 天津市宝坻区经济开发区宝中道Z8号
- 代理机构: 安徽宏铎知识产权代理事务所
- 代理商 马林红
- 主分类号: H01B1/22
- IPC分类号: H01B1/22
摘要:
本实用新型涉及导电薄膜技术领域,且公开了一种高透纳米银线合成导电薄膜,包括防护机构、第一薄膜机构、第二薄膜机构和基材机构,所述第一薄膜机构位于防护机构的下端,所述第二薄膜机构位于第一薄膜机构的下端,所述基材机构位于第二薄膜机构的下端,所述防护机构包括第一高透明基膜层、防蓝光涂层、纳米防爆涂层和抗污涂层,所述防蓝光涂层固定安装在第一高透明基膜层的下端,所述纳米防爆涂层固定安装在防蓝光涂层的下端,所述抗污涂层固定安装在纳米防爆涂层的下端。该高透纳米银线合成导电薄膜,有利于加强该导电薄膜的防蓝光性和防爆性等功能,有效保护了该导电薄膜,降低了该导电薄膜表面电阻率,增强了该导电薄膜的导电性能。