实用新型
- 专利标题: 一种全封闭熔断器结构
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申请号: CN202222641225.8申请日: 2022-10-09
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公开(公告)号: CN218730774U公开(公告)日: 2023-03-24
- 发明人: 孙涛 , 唐玉峰
- 申请人: 上海电瓷厂有限公司
- 申请人地址: 上海市闵行区吴泾镇车沟桥
- 专利权人: 上海电瓷厂有限公司
- 当前专利权人: 上海电瓷厂有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区吴泾镇车沟桥
- 代理机构: 上海申浩律师事务所
- 代理商 陆叶
- 主分类号: H01H85/165
- IPC分类号: H01H85/165 ; H01H85/20
摘要:
本实用新型公开了一种全封闭熔断器结构,包括熔断器基座、载熔件、上引线组件与下引线,其中熔断器基座内部中空,熔断器基座上端具有绝缘端子,上引线组件具有进线套、上进口线,其中进线套顶部设有密封胶条,进线套内穿有上进口线,上进口线串过绝缘端子并连接外部电路;所述下引线装于熔断器基座下端一侧,下引线伸进熔断器基座腔内,载熔件装配于熔断器基座腔内且其具有的上部触头和下部触头分别与上进口线、下引线连接;所述熔断器基座还装有抱箍结构,抱箍结构包括相铰的上箍体、下箍体,以及防脱模块。本实用新型将载熔件、上引线组件与下引线均密封在基座内,并通过密封胶条将进线包裹,避免其出现泄漏的情况,达到了高绝缘化的要求。