一种新型封装肖特基
摘要:
本实用新型公开了一种新型封装肖特基,涉及半导体封装技术领域。本实用新型包括封装壳体,封装壳体的内部固定设置有顶片框架,顶片框架的一端固定延伸至封装壳体的外部,封装壳体的内部固定设置有底片框架,底片框架的一端固定延伸至封装壳体的外部。本实用新型通过设置顶片框架和底片框架提高了接触面积,可以承受大电流冲击,正向浪涌能力极强,并且采用两片式框架结构,通过两片式框架进行散热,保证产品长时间使用时的温度稳定,散热路径短,对应热阻值低,高温性能好,并且另外使用散热块进行多通道散热,保证散热效率,本实用新型通过采用两片式框架结构,进一步缩小封装体积,使得产品适应能力更强,在小型化集成化电路的使用更为广泛。
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件(H01L31/00至H01L47/00,H01L51/05优先;除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00;由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00)
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/86 ..只能通过对一个或多个通有待整流,放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的(H01L29/96优先)
H01L29/861 ...二极管
H01L29/872 ....肖特基二极管
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