实用新型
- 专利标题： 一种掺V碳化硅降低包裹物的石墨件
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申请号： CN202321138617.0申请日： 2023-05-12
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公开(公告)号： CN219793193U公开(公告)日： 2023-10-03
- 发明人: 刘海威 , 魏莹 , 邹宇 , 张平 , 刘春俊 , 彭同华 , 杨建
- 申请人： 江苏天科合达半导体有限公司 , 北京天科合达半导体股份有限公司
- 申请人地址： 江苏省徐州市经济技术开发区创业路26号;
- 专利权人： 江苏天科合达半导体有限公司,北京天科合达半导体股份有限公司
- 当前专利权人： 江苏天科合达半导体有限公司,北京天科合达半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省徐州市经济技术开发区创业路26号;
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 陈志海
- 主分类号： C30B23/00
- IPC分类号： C30B23/00 ; C30B29/36
摘要：
本实用新型公开了一种掺V碳化硅降低包裹物的石墨件，包括：晶体边缘石墨件；所述晶体边缘石墨件的侧壁内设有第一槽，所述第一槽的槽口位于所述晶体边缘石墨件的侧壁的底部。本方案在晶体边缘石墨件的侧壁内设有第一槽；由于相同条件下，气体热导率小于固体，气体不利于导热，但利于保温；则侧壁温度升高后，降低晶体过程气相组分对边缘石墨件侧壁腐蚀，从而减少晶体边缘无规则形状渗入状包裹物。
