一种自重力高通量膜式芯片
摘要:
本申请公开了一种自重力高通量膜式芯片。膜式芯片包括第一层、多孔膜和第二层。第一层具有第一培养室;第二层沿重力方向层叠设于第一层,且第一层和第二层中的至少一个具有第二培养室,在重力方向,第二培养室位于多孔膜背离第一培养室的一侧;第二层具有至少一个的第一进样池和至少一个的第二进样池,且在重力方向,第一进样池的第一进样口和第二进样池的第二进样口均高于第二培养室。本申请通过自重力流体驱动的方式,能够使流体对应地进入第一培养室和第二培养室,并附着于多孔膜对应的表面,模拟细胞动态培养,提高培养通量,为构建复杂的器官模型提供了便利,降低了灌注设备的复杂性和器官模型构建的成本。
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