实用新型
- 专利标题: 高频放大器、射频芯片及雷达
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申请号: CN202322151912.6申请日: 2023-08-10
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公开(公告)号: CN220629309U公开(公告)日: 2024-03-19
- 发明人: 陈瑞
- 申请人: 上海安其威微电子科技有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张东路1387号51幢102(复式)室
- 专利权人: 上海安其威微电子科技有限公司
- 当前专利权人: 上海安其威微电子科技有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张东路1387号51幢102(复式)室
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 徐迪
- 主分类号: H03F3/193
- IPC分类号: H03F3/193 ; H03F1/56
摘要:
本实用新型提供了一种高频放大器、一种射频芯片及一种雷达。所述高频放大器包括:第一晶体管,其中,电源经由所述第一晶体管的漏极和源极接地,所述第一晶体管的栅极经由第一LC结构连接所述高频放大器的输入端,所述第一晶体管的漏极经由波导结构及第二LC结构连接所述高频放大器的输出端;以及RC反馈电路,其第一端连接所述第一晶体管的栅极,而其第二端经由所述波导结构连接所述第一晶体管的漏极。通过采用上述配置,本实用新型能在不影响放大器输入输出阻抗匹配的情况下,通过配置适应放大器电路参数的波导结构参数,降低放大器输出端输出阻抗的品质因子,以提升放大器的高频增益。
IPC分类: