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实用新型
CN2819479Y 量子点增强F－N隧穿非挥发存储器 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 量子点增强F－N隧穿非挥发存储器
  • 专利标题（英）： Quantum-point reinforced FN tunnel non-volatile memory
  • 申请号： CN200520022980.1
    申请日： 2005-05-20
  • 公开(公告)号： CN2819479Y
    公开(公告)日： 2006-09-20
  • 发明人: 邓宁 , 陈培毅 , 潘立阳 , 张磊 , 魏榕山
  • 申请人： 清华大学
  • 申请人地址： 北京市北京100084-82信箱
  • 专利权人： 清华大学
  • 当前专利权人： 清华大学
  • 当前专利权人地址： 北京市北京100084-82信箱
  • 主分类号： H01L27/10
  • IPC分类号： H01L27/10
量子点增强F－N隧穿非挥发存储器
摘要：
量子点增强F－N隧穿非挥发存储器属于存储器设计技术领域。其特征在于，在硅沟道上方有自组织生长的SiGe量子点。该存储器可以明显地降低电子注入过程中隧穿氧化层中的平均电场，提高电子注入效率。在不减小隧穿氧化层厚度的前提下，降低Flash Memory的编程和擦除电压，提高编程速度。由于等效隧穿氧化层厚度的增加，提高了存储器的数据保持时间和可靠性。
摘要（英）：

The utility model relates to quantum-point reinforced FN tunnel non-volatile memory which belongs to the technical field of memory design. The utility model is characterized in that SiGe quantum point growing from the tissue is arranged above a silicon channel. The utility model can reduce the average electric field of a tunneling oxidization layer during the electron injection process dramatically so as to improve the electron injection efficiency. The utility model can reduce the programming and erasing voltage of a flash memory without reducing the thickness of the tunneling oxidization layer so as to increase the programming speed. Due to the increment of the thickness of an equivalent tunneling oxidization layer, the data hold time and the reliability of the memory are enhanced.

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