发明公开
EP0000049A1 Verfahren und Vorrichtung zur Trockenentwicklung von Zweikomponenten-Diazotypiematerial
失效
Verfahren und Vorrichtung zur Trockenentwicklung von Zweikomponenten-Diazotypiematerial。
- 专利标题: Verfahren und Vorrichtung zur Trockenentwicklung von Zweikomponenten-Diazotypiematerial
- 专利标题(英): Process and device for the dry development of a two-component diazotype material
- 专利标题(中): Verfahren und Vorrichtung zur Trockenentwicklung von Zweikomponenten-Diazotypiematerial。
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申请号: EP78100089.8申请日: 1978-06-05
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公开(公告)号: EP0000049A1公开(公告)日: 1978-12-20
- 发明人: Schörnig, Eberhard , Blume, Erich
- 申请人: HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
- 申请人地址: 65926 Frankfurt am Main DE
- 专利权人: HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人: HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT
- 当前专利权人地址: 65926 Frankfurt am Main DE
- 优先权: DE2726240 19770610
- 主分类号: G03D7/00
- IPC分类号: G03D7/00
摘要:
Bei einem Verfahren zur Trockenentwicklung von Zweikomponenten- Diazokopiermaterial, das nicht durch blosse Wärmeentwicklung entwickelbar ist, durchläuft das Diazokopiermaterial eine Entwicklergasatmosphäre aus einem spannungsmässig ungesättigten, 3 bis 25 Gewichtsprozente Ammoniak enthaltenden Ammoniakwasserdampfgemisch bei einer Temperatur zwischen etwa 105 bis 120°C.
Zur Erhöhung der Entwicklungsgeschwindigkeit durch- äuft das Diazokopiermaterial vor dieser Entwicklungsatmosphäre eine Vorentwicklungsatmosphäre bei einer Temperatur zwischen 100 bis 110° C mit einer Ammoniakkonzentration,'die 20 bis 80% der Ammoniakkonzentration der Entwicklergasatmosphäre beträgt.
Eine nach diesem Verfahren arbeitende Vorrichtung hat eine Entwicklungskamrner (1), die auf etwa 105 bis 120°C beheizt ist und eine Speiseleitung (17) zum Einspeisen des Entwicklers. Vor der Entwicklungskammer ist eine Vorentwicklungskammer 12) unter Bildung einer Drosselstelle (16) zwischen der Entwicklungskammer und der Vorentwicklung. skammer angeordnet. Mit der Vorentwicklungskammer ist eine Saugeinrichtung (13,15) verbunden. Die Vorentwicklungskammer ist mit einer Heizeinrichtung (32) versehen, durch die die Vorentwicklungsatmosphäre in der Vorentwicklungskammer auf eine Temperatur zwischen 100 und 110°C erwärmt ist.
Zur Erhöhung der Entwicklungsgeschwindigkeit durch- äuft das Diazokopiermaterial vor dieser Entwicklungsatmosphäre eine Vorentwicklungsatmosphäre bei einer Temperatur zwischen 100 bis 110° C mit einer Ammoniakkonzentration,'die 20 bis 80% der Ammoniakkonzentration der Entwicklergasatmosphäre beträgt.
Eine nach diesem Verfahren arbeitende Vorrichtung hat eine Entwicklungskamrner (1), die auf etwa 105 bis 120°C beheizt ist und eine Speiseleitung (17) zum Einspeisen des Entwicklers. Vor der Entwicklungskammer ist eine Vorentwicklungskammer 12) unter Bildung einer Drosselstelle (16) zwischen der Entwicklungskammer und der Vorentwicklung. skammer angeordnet. Mit der Vorentwicklungskammer ist eine Saugeinrichtung (13,15) verbunden. Die Vorentwicklungskammer ist mit einer Heizeinrichtung (32) versehen, durch die die Vorentwicklungsatmosphäre in der Vorentwicklungskammer auf eine Temperatur zwischen 100 und 110°C erwärmt ist.
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