发明公开
EP0048289A1 Magnetoresistiver Dünnfilm-Abtastkopf mit Unterdrückung thermisch induzierter Spannungsspitzen
失效
MagnetoresistiverDünnfilm-Abtastkopf mitUnterdrückungthermisch induzierter Spannungsspitzen。
- 专利标题: Magnetoresistiver Dünnfilm-Abtastkopf mit Unterdrückung thermisch induzierter Spannungsspitzen
- 专利标题(英): Magnetoresistive thin film read head with suppression of thermally induced voltage pulses
- 专利标题(中): MagnetoresistiverDünnfilm-Abtastkopf mitUnterdrückungthermisch induzierter Spannungsspitzen。
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申请号: EP80105615.1申请日: 1980-09-19
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公开(公告)号: EP0048289A1公开(公告)日: 1982-03-31
- 发明人: Brunsch, Arwed, Dr. , Ruh, Wolf-Dieter , Trippel, Gerhard, Dr.
- 申请人: IBM DEUTSCHLAND GMBH , International Business Machines Corporation
- 申请人地址: Pascalstrasse 100 D-70569 Stuttgart DE
- 专利权人: IBM DEUTSCHLAND GMBH,International Business Machines Corporation
- 当前专利权人: IBM DEUTSCHLAND GMBH,International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址: Pascalstrasse 100 D-70569 Stuttgart DE
- 代理机构: Herzog, Friedrich Joachim, Dipl.-Ing.
- 主分类号: G11B5/38
- IPC分类号: G11B5/38 ; G11B5/30
摘要:
Bei einem magnetoresistiven Dünnfilm-Abtastkopf, der neben der magnetoresistiven Abtastschicht (1) eine elektrisch leitende Nebenschlußschicht (2) enthält, ist letztere aus einem Material mit negativem Temperaturkoeffizienten gefertigt. Durch geeignete Dimensionierung der Dicken der Schichten sowie geeignete Auswahl der Materialien kann die Temperaturänderung des Widerstandes der magnetoresistiven Schicht auf Null kompensiert werden. Dadurch werden Störspannungsspitzen im Ausgangssignal des magnetoresistiven Abtastkopfes, die durch Reibungswärme zwischen dem Aufzeichnungsträger und dem Abtastkopf thermisch induziert werden, vermieden oder zumindest auf ein Minimum reduziert.
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