发明公开
EP0114238A2 Endstufe eines optischen Senders für digitale Signalübertragung
失效
Endstufe eines optischen发信人信号Signalübertragung。
- 专利标题： Endstufe eines optischen Senders für digitale Signalübertragung
- 专利标题（英）： Final stage of an optical transmitter for digital signal transmission
- 专利标题（中）： Endstufe eines optischen发信人信号Signalübertragung。
-
申请号： EP83111541.5申请日： 1983-11-18
-
公开(公告)号： EP0114238A2公开(公告)日： 1984-08-01
- 发明人: Ludolf, Wilhelm, Dr.-Ing. , Schenkyr, Rainer, Dipl.-Ing. , Sommer, Rolf-Dieter, Dipl.-Ing.
- 申请人： Richard Hirschmann Radiotechnisches Werk
- 申请人地址： Richard-Hirschmann-Strasse 19 Postfach 110 73702 Esslingen DE
- 专利权人： Richard Hirschmann Radiotechnisches Werk
- 当前专利权人： Richard Hirschmann Radiotechnisches Werk
- 当前专利权人地址： Richard-Hirschmann-Strasse 19 Postfach 110 73702 Esslingen DE
- 代理机构： Stadler, Heinz, Dipl.-Ing.
- 优先权： DE3301856 19830121
- 主分类号： H04B9/00
- IPC分类号： H04B9/00
摘要：
Bei einer Endstufe eines optischen Senders für digitale Signalübertragung liegt parallel zur Senderdiode (D) ein Shunt-Transistor (T s ) in Emitterschaltung, zwischen dessen Ein- und Ausgang ein Gegenkopplungsnetzwerk eingeschaltet ist.
Zur Vermeidung eines unerwünschten Speichereffektes durch Sättigung des Shunt-Transistors (T s ) unabhängig von dessen Kollektorstrom ist das Gegenkopplungsnetzwerk so ausgebildet, daß ein Absinken des Kollektorpotentials des Shunt-Transistors (T s ) unter einen einstellbaren über seiner Sättigungsspannung liegenden Wert durch Verringerung seines Basisstroms verhindert ist.
Eine besonders zweckmäßige Ausführung dieses Gegenkopplungsnetzwerks als Stromquelle besteht aus einem Transistor (T G ), dessen Basis an eine einstellbare Spannungsquelle (U Ref ) angeschlossen ist und der emitterseitig über einen Widerstand (R G ) mit dem Kollektor des Shunt-Transistors (T s ) sowie kollektorseitig mit dem nichtinvertierenden Eingang eines Vorverstärkers (T v , R,, R 2 , R 3 , R 4 ) verbunden ist, dessen Ausgang auf den Eingang des Shunt-Transistors (T s ) führt.
Zur Vermeidung eines unerwünschten Speichereffektes durch Sättigung des Shunt-Transistors (T s ) unabhängig von dessen Kollektorstrom ist das Gegenkopplungsnetzwerk so ausgebildet, daß ein Absinken des Kollektorpotentials des Shunt-Transistors (T s ) unter einen einstellbaren über seiner Sättigungsspannung liegenden Wert durch Verringerung seines Basisstroms verhindert ist.
Eine besonders zweckmäßige Ausführung dieses Gegenkopplungsnetzwerks als Stromquelle besteht aus einem Transistor (T G ), dessen Basis an eine einstellbare Spannungsquelle (U Ref ) angeschlossen ist und der emitterseitig über einen Widerstand (R G ) mit dem Kollektor des Shunt-Transistors (T s ) sowie kollektorseitig mit dem nichtinvertierenden Eingang eines Vorverstärkers (T v , R,, R 2 , R 3 , R 4 ) verbunden ist, dessen Ausgang auf den Eingang des Shunt-Transistors (T s ) führt.
信息查询
