发明公开
- 专利标题: Leistungshalbleitermodul
- 专利标题(英): Semiconductor power module
- 专利标题(中): Leistungshalbleitermodul。
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申请号: EP85100886.2申请日: 1985-01-29
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公开(公告)号: EP0152818A2公开(公告)日: 1985-08-28
- 发明人: Nippert, Georg, Dipl.-Phys. , Hahn, Bertold , Gobrecht, Jens, Dr. Dipl.-Phys.
- 申请人: Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft
- 申请人地址: Kallstadter Strasse 1 D-68309 Mannheim DE
- 专利权人: Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft
- 当前专利权人: Asea Brown Boveri Aktiengesellschaft
- 当前专利权人地址: Kallstadter Strasse 1 D-68309 Mannheim DE
- 代理机构: Rupprecht, Klaus, Dipl.-Ing.
- 优先权: DE3406528 19840223
- 主分类号: H01L23/48
- IPC分类号: H01L23/48 ; H01L23/52 ; H01L25/04
摘要:
Zur Vermeidung aufwendiger Lötformen für die Herstellung von Modulen mit gesteuerten Leistungshalbleiterbauelementen wird ein Leistungshalbleitermodul (1) mit mindestens zwei parallelen Substraten (2, 3) vorgeschlagen, wobei zwischen jeweils zwei Substraten (2, 3) mindestens ein gesteuertes Leistungshalbleiterbauelement (5) angeordnet ist, das direkt oder über Ausgleichstücke (7) mit einer Metallisierung (4) auf den Substraten (2, 3) über und unter dem gesteuerten Leistungshalbleiterbauelement (5) kontaktiert ist. Sämtliche Leitungsverbindungen lassen sich dabei in Form von Leiterbahnen (9) auf keramische Platten (2, 3) oder Hülsen (17) oder Kontaktstempel (10) zwischen Substraten (2, 3) realisieren, so daß Kontaktbügel entfallen.
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