发明公开
- 专利标题： Method for making thioether(bisphthalimide)s
- 专利标题（中）： 一种用于硫醚（bisphthalimide）的制备方法。
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申请号： EP85100883.9申请日： 1985-01-29
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公开(公告)号： EP0172298A2公开(公告)日： 1986-02-26
- 发明人: Evans, Thomas Lane
- 申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY
- 申请人地址： 1 River Road Schenectady New York 12305 US
- 专利权人： GENERAL ELECTRIC COMPANY
- 当前专利权人： GENERAL ELECTRIC COMPANY
- 当前专利权人地址： 1 River Road Schenectady New York 12305 US
- 代理机构： Schüler, Horst, Dr.
- 优先权： US576224 19840202
- 主分类号： C07D209/48
- IPC分类号： C07D209/48 ; C08K5/34
摘要：
A method is provided for making thioether- (bisphthali- mide)s from an alkali metal hydrogen sulfide and an N-organo substituted halophthalimide or nitrophthalimide.
公开/授权文献
- EP0172298B1 Method for making thioether(bisphthalimide)s 公开/授权日：1991-09-11
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