发明公开
- 专利标题： CONTENT ADDRESSABLE SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAYS
- 专利标题（中）： 内容可寻址的半导体存储阵列
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申请号： EP85903588.0申请日： 1985-06-28
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公开(公告)号： EP0187822A1公开(公告)日： 1986-07-23
- 发明人: GREENBERGER, Alan, Joel
- 申请人： AT&T Corp.
- 申请人地址： 32 Avenue of the Americas New York, NY 10013-2412 US
- 专利权人： AT&T Corp.
- 当前专利权人： AT&T Corp.
- 当前专利权人地址： 32 Avenue of the Americas New York, NY 10013-2412 US
- 代理机构： Buckley, Christopher Simon Thirsk, et al
- 优先权： US19840628165 19840705
- 国际公布： WO1986000736 19860130
- 主分类号： G11C15
- IPC分类号： G11C15 ; G06F17
摘要：
Un circuit de mémoire à semi-conducteurs est disposé avec un réseau ordinaire de rangées et de colonnes à croisement (100) de cellules de stockage de mémoire à condensateur dynamique. L'adressage du contenu sériel des mots est validé par l'addition d'un dispositif logique combinatoire séparé (101-105), un seul dispositif similaire pour chaque ligne entière de bit de colonne, ce qui réduit le nombre d'éléments normalement requis pour effectuer un tel adressage.
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