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EP0198935A1 Elektrisch umprogrammierbarer Halbleiterspeicher mit Redundanz 失效
电可重编程的半导体存储器具有冗余。

  • 专利标题： Elektrisch umprogrammierbarer Halbleiterspeicher mit Redundanz
  • 专利标题（英）： Electrically erasable programmable redundant semiconductor memory
  • 专利标题（中）： 电可重编程的半导体存储器具有冗余。
  • 申请号： EP85104945.2
    申请日： 1985-04-23
  • 公开(公告)号： EP0198935A1
    公开(公告)日： 1986-10-29
  • 发明人: Giebel, Burkhard, Dipl.-Ing.
  • 申请人： Deutsche ITT Industries GmbH
  • 申请人地址： Hans-Bunte-Strasse 19 D-79108 Freiburg DE
  • 专利权人： Deutsche ITT Industries GmbH
  • 当前专利权人： Deutsche ITT Industries GmbH
  • 当前专利权人地址： Hans-Bunte-Strasse 19 D-79108 Freiburg DE
  • 主分类号： G11C23/00
  • IPC分类号： G11C23/00 ;  G06F11/20
Elektrisch umprogrammierbarer Halbleiterspeicher mit Redundanz
摘要：
Das System enthält einen Mikrocomputer (µC), der in bestimmten Abständen unter Verwendung einer in einem EEPROM integrierten Klassifizierungsschaltung die Speicherzellen des EEPROMs auf Änderungen der Schwellwerte durchmißt und im Falle des Feststellens eines Fehlers in einer somit als fehlerhaft erkannten Zeile oder Spalte diese fehlerhafte Zeile bzw. Spalte, deren Adresse dann in einem Bereich (B2) gespeichert wird, durch eine redundante Zeil bzw. Spalte in einem anderen Bereich (B1) unter Verwendung eines Korrekturregisters (K) ersetzt.
摘要（中）：

该系统包括通过使用内置的EEPROM分类电路，EEPROM的存储器单元的阈值值的变化和或以在一个由此识别为这个缺陷线的有缺陷的行或列中检测到错误的情况下以预定的间隔测量得到的微型电子计算机（.mu.C） 列中，在一个区域（B2）为地址使用置换后的校正寄存器（K）被存储时，通过一冗余列采尔或在另一区域（B1）。

摘要（英）：

The system includes a microcomputer (.mu.C), which traverses at intervals using an integrated in an EEPROM classification circuit, the memory cells of the EEPROM to change the thresholds and or in the case of detecting a fault in a thus recognized as defective row or column this erroneous line . column whose address then in a region (B2) is stored, by a redundant Zeil or column in another area (B1) using a correction register replaced (K).

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