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EP0226549B1 A monolithic integrated circuit, particularly of either the MOS or CMOS type, and method of manufacturing same
失效
独特的集成电路，特别是MOS或CMOS型，及其制造方法
- 专利标题： A monolithic integrated circuit, particularly of either the MOS or CMOS type, and method of manufacturing same
- 专利标题（中）： 独特的集成电路，特别是MOS或CMOS型，及其制造方法
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申请号： EP86830293.6申请日： 1986-10-09
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公开(公告)号： EP0226549B1公开(公告)日： 1990-08-29
- 发明人: Maggioni, Franco , Baldi, Livio , Cappelletti, Paolo Giuseppe
- 申请人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS s.r.l.
- 申请人地址： Via C. Olivetti, 2 20041 Agrate Brianza (Milano) IT
- 专利权人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS s.r.l.
- 当前专利权人： SGS-THOMSON MICROELECTRONICS s.r.l.
- 当前专利权人地址： Via C. Olivetti, 2 20041 Agrate Brianza (Milano) IT
- 代理机构： Perani, Aurelio
- 优先权： IT2332385 19851220
- 主分类号： H01L21/90
- IPC分类号： H01L21/90 ; H01L23/52
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