发明公开
- 专利标题： Light emitting semiconductor device
- 专利标题（中）： 发光半导体电路。
-
申请号： EP85309266.6申请日： 1985-12-19
-
公开(公告)号： EP0227865A1公开(公告)日： 1987-07-08
- 发明人: McIlroy, Paul W. A. c/o Patent Division , Kurobe, Atsushi c/o Patent Division , Furuyama, Hideto c/o Patent Division
- 申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 申请人地址： 72, Horikawa-cho, Saiwai-ku Kawasaki-shi, Kanagawa-ken 210 JP
- 专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 当前专利权人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 当前专利权人地址： 72, Horikawa-cho, Saiwai-ku Kawasaki-shi, Kanagawa-ken 210 JP
- 代理机构： Freed, Arthur Woolf
- 优先权： JP229466/85 19851015
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01S3/19
摘要：
In a carrier injection type light emitting semiconductor device with a QW structure, a p-type impurity doped layer (42) and/or an n-type impurity doped layer (45) are inserted into an optical wave guide layer (4) so as to cancel an internal electric field in an active region (43).
公开/授权文献
- EP0227865B1 Light emitting semiconductor device 公开/授权日：1991-05-08
信息查询
IPC分类:
