发明公开
- 专利标题： A heteroepitaxial growth method
- 专利标题（中）： 维尔法罕zur异形突变Züchtung。
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申请号： EP87310423.6申请日： 1987-11-25
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公开(公告)号： EP0269439A2公开(公告)日： 1988-06-01
- 发明人: Shigeta, Mitsuhiro , Suzuki, Akira , Furukawa, Katsuki , Fujii, Yoshihisa , Hatano, Akitsugu , Uemoto, Atsuko , Nakanishi, Kenji
- 申请人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
- 申请人地址： 22-22 Nagaike-cho Abeno-ku Osaka 545 JP
- 专利权人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
- 当前专利权人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
- 当前专利权人地址： 22-22 Nagaike-cho Abeno-ku Osaka 545 JP
- 代理机构： White, Martin David
- 优先权： JP284980/86 19861127; JP284982/86 19861127; JP23080/87 19870202
- 主分类号： C30B25/02
- IPC分类号： C30B25/02 ; C30B29/36 ; C30B25/18 ; H01L21/365
摘要：
A heteroepitaxial growth method comprising growing a semiconductor single-crystal film (8) on a semiconductor single-crystal substrate (A) with a lattice constant (a1) different from that (b1) of the semiconductor single-crystal film (B) by chemical vapor deposition, the epitaxial orientation of the semiconductor single-crystal film (B) being inclined at a certain angle (1°-30°) with respect to the semiconductor single-crystal substrate (A).
公开/授权文献
- EP0269439B1 A heteroepitaxial growth method 公开/授权日：1993-06-09
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