发明公开
EP0284153A1 Circuit intégré comportant un transistor I2L à courant de sortie élevé et un étage I2L comprenant de tels transistors 失效
集成电路与高输出电流的I2L晶体管,和I 2 L阶段与这样的晶体管。

Circuit intégré comportant un transistor I2L à courant de sortie élevé et un étage I2L comprenant de tels transistors
摘要:
L'invention concerne un transistor pour logique intégrée à injection (I²L) comprenant une seule région de sortie de collecteur et comportant au moins un contact de base disposé entre la région de sortie de collecteur (C₆₀, Cʹ₆₀) et l'injecteur (IN6), la surface de la région de sortie de collecteur étant plusieurs fois supérieure à celle d'une porte logique I²L multi-collecteurs.
Il est caractérisé en ce que la base (B₆₀) présente au moins deux rangées de contacts interconnectés, une première rangée (CB₆₀, CB₆₁, CB₆₂) constituant ledit contact de base disposé entre le collecteur et l'injecteur, et au moins une deuxième rangée (CB₆₃, CB₆₄, CB₆₅) située dans le périmètre du collecteur (C₆₀, Cʹ₆₀), lequel peut être en une ou plusieurs parties. L'injecteur IN6 peut également présenter une rangée de contacts (CIN1, CIN2, CIN3) interconnectés.
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