发明公开
- 专利标题: Hochleistungs-Bandleiterlaser
- 专利标题(英): High-power strip-guide laser
- 专利标题(中): 高性能磁带导体激光。
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申请号: EP88113843.2申请日: 1988-08-25
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公开(公告)号: EP0305893A2公开(公告)日: 1989-03-08
- 发明人: Opower, Hans, Dr.
- 申请人: Deutsche Forschungsanstalt für Luft- und Raumfahrt e.V.
- 申请人地址: Postfach 90 60 58 D-51126 Köln DE
- 专利权人: Deutsche Forschungsanstalt für Luft- und Raumfahrt e.V.
- 当前专利权人: Deutsche Forschungsanstalt für Luft- und Raumfahrt e.V.
- 当前专利权人地址: Postfach 90 60 58 D-51126 Köln DE
- 代理机构: Hoeger, Stellrecht & Partner
- 优先权: DE3729053 19870831
- 主分类号: H01S3/03
- IPC分类号: H01S3/03
摘要:
Um einen elektrisch angeregten diffusionsgekühlten Hochleistungslaser (10) mit zwei in geringem Abstand voneinander angeordneten, einen optischen Wellenleiter bildenden Wandflächen (16, 18), deren Breite ein Vielfaches ihres Abstandes beträgt und die einen strömungsfreien Entladungsraum zwischen sich einschließen, und mit einem optischen Resonator, dessen Resonatorspiegel (38, 44) an beiden Enden (22, 24) des Wellenleiters angeordnet sind, derart zu verbessern, daß ein gut fokussierbarer Laserstrahl entsteht, wird vorgeschlagen, daß der Resonator ein optisch instabiler Resonator (50) mit einem sich längs einer Resonatorachse (52) erstreckenden und eine zur Resonatorachse (52) transversale Ausdehnung (54) bis zu mindestens einem austretenden Laserstrahl (55) aufweisenden Strahlenverlauf ist und daß die transversale Ausdehnung quer zu einer Längsrichtung (20) des Wellenleiters und ungefähr parallel zu den Wandflächen (16, 18) verläuft.
公开/授权文献
- EP0305893B1 Hochleistungs-Bandleiterlaser 公开/授权日:1994-01-19
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