L'invention concerne le test des mémoires électriquement programmables.
Pour pouvoir mesurer le courant des cellules programmées et des cellules vierges (et pas seulement vérifier l'état programme ou non programmé), ceci même après encapsulation de la mémoire dans un boîtier, on propose ici de connecter, en mode de test, la ligne de bit (LB1, LB2) d'une cellule (CM1, CM2) à tester, à la borne de programmation (PP) sur laquelle est appliquée, en mode de programmation, la tension élevée de programmation Vpp. Sur cette borne PP on applique, en mode de test, une faible tension Vte et on mesure le courant circulant entre cette borne et la source de tension ; ce courant est le courant de la cellule testée.