发明公开
EP0326935A3 Verfahren zur Herstellung einer dünnen röntgenamorphen Aluminiumnitrid- oder Aluminium-siliciumnitridschicht auf einer Oberfläche
失效
在表面上生产薄层，X射线 - 非晶层，氮化铝或氮化硅 - 氮化硅的方法
- 专利标题： Verfahren zur Herstellung einer dünnen röntgenamorphen Aluminiumnitrid- oder Aluminium-siliciumnitridschicht auf einer Oberfläche
- 专利标题（英）： Process for producing on a surface a thin, x-rays-amorphous layer od aluminium nitride or of aluminium-silicon nitride
- 专利标题（中）： 在表面上生产薄层，X射线 - 非晶层，氮化铝或氮化硅 - 氮化硅的方法
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申请号： EP89101311.2申请日： 1989-01-26
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公开(公告)号： EP0326935A3公开(公告)日： 1991-04-03
- 发明人: Steininger, Helmut, Dr.
- 申请人： BASF Aktiengesellschaft
- 申请人地址： Carl-Bosch-Strasse 38 D-67063 Ludwigshafen DE
- 专利权人： BASF Aktiengesellschaft
- 当前专利权人： BASF Aktiengesellschaft
- 当前专利权人地址： Carl-Bosch-Strasse 38 D-67063 Ludwigshafen DE
- 优先权： DE3802998 19880202
- 主分类号： C23C14/06
- IPC分类号： C23C14/06 ; G11B11/10
摘要：
Verfahren zur Herstellung einer dünnen röntgenamorphen Aluminiumnitrid- oder Aluminiumsiliciumnitridschicht auf einer Oberfläche durch reaktive Kathodenzerstäubung oder reaktive Magnetronkathodenzerstäubung von Aluminium oder von Aluminium und Silicium im Vakuum in einer Edelgas und Stickstoff enthaltenden Prozeßgasatmosphäre und durch Abscheiden der betreffenden Nitridschicht aus der Gasphase, bei welchem man
(a) als Edelgas ein Gemisch aus Argon und einem oder mehreren der Edelgase Neon, Krypton oder Xenon verwendet, wobei (b) das Volumenverhältnis von Argon zu den anderen Edelgasen bei 2:1 bis 100:1 liegt und wobei (c) das Volumenverhältnis des Edelgasgemischs (a) zu Stickstoff bei 2:1 bis 10:1 liegt.
(a) als Edelgas ein Gemisch aus Argon und einem oder mehreren der Edelgase Neon, Krypton oder Xenon verwendet, wobei (b) das Volumenverhältnis von Argon zu den anderen Edelgasen bei 2:1 bis 100:1 liegt und wobei (c) das Volumenverhältnis des Edelgasgemischs (a) zu Stickstoff bei 2:1 bis 10:1 liegt.
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