L'invention concerne un procédé de fabrication d'un matériau de silicium sur silicium poreux, qui consiste à: (i) fabriquer une couche de silicium poreux sur une plaquette appropriée de silicium, de sorte que ladite plaquette de silicium comporte une surface de silicium poreux et une surface de silicium non poreux, (ii) appliquer une dose d'ions implantés sur au moins une partie de la surface de silicium poreux, ladite dose étant suffisante pour rendre amorphe le silicium poreux. Le matériau produit grâce au procédé de l'invention peut ensuite servir pour la production de matériau de silicium sur isolant par oxydation du restant de silicium poreux et recristallisation du silicium rendu amorphe. Un tel matériau peut typiquement être utilisé dans la fabrication, par exemple, de dispositifs de type SOI C-MOS et de transistors bipolaires. Le procédé de l'invention peut également servir dans la fabrication de dispositifs pyroélectriques par exemple.