发明授权
EP0686980B1 Semiconductor memory device having means for replacing defective memory cells
失效
一种半导体存储器，包括：用于替换有缺陷的存储单元
- 专利标题： Semiconductor memory device having means for replacing defective memory cells
- 专利标题（中）： 一种半导体存储器，包括：用于替换有缺陷的存储单元
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申请号： EP95111838.9申请日： 1990-01-30
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公开(公告)号： EP0686980B1公开(公告)日： 1998-12-16
- 发明人: Kasa, Yasushi, c/o Fujitsu Limited , Takemae, Yoshihiro, c/o Fujitsu Limited , Nagasawa, Masanori, c/o Fujitsu Limited , Arayama, Yuji, c/o Fujitsu Limited , Terui, Akira, c/o Fujitsu Limited , Araki, Sunao c/o Fujitsu Ltd.,
- 申请人： FUJITSU LIMITED , FUJITSU VLSI LIMITED
- 申请人地址： 1015, Kamikodanaka, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211 JP
- 专利权人： FUJITSU LIMITED,FUJITSU VLSI LIMITED
- 当前专利权人： FUJITSU LIMITED,FUJITSU VLSI LIMITED
- 当前专利权人地址： 1015, Kamikodanaka, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211 JP
- 代理机构： Stebbing, Timothy Charles
- 优先权： JP21337/89 19890131; JP30435/89 19890209; JP30436/89 19890209; JP31562/89 19890210; JP31561/89 19890210; JP31484/89 19890210
- 主分类号： G11C29/00
- IPC分类号： G11C29/00 ; G06F11/20 ; G11C11/00
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