发明授权
- 专利标题： UNIPOLARTRANSISTOR MIT INTEGRIERTER RÜCKSETZSTRUKTUR
- 专利标题（英）： Single-pole transistor with integrated reset structure
- 专利标题（中）： 单极集成了复位功能结构
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申请号： EP94926785.0申请日： 1994-09-15
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公开(公告)号： EP0719455B1公开(公告)日： 1999-06-23
- 发明人: KEMMER, Josef , LUTZ, Gerhard , RICHTER, Rainer
- 申请人： Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. , KEMMER, Josef, Dr.
- 申请人地址： Hofgartenstrasse 2 80539 München DE
- 专利权人： Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V.,KEMMER, Josef, Dr.
- 当前专利权人： Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V.,KEMMER, Josef, Dr.
- 当前专利权人地址： Hofgartenstrasse 2 80539 München DE
- 代理机构： Münich, Wilhelm, Dr.
- 优先权： DE4331392 19930915
- 国际公布： WO9508191 19950323
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146 ; H01L31/112 ; H01L31/113
摘要：
The description relates to a semiconductor structure consisting of a single-pole transistor with a drain, a source, a reset contact, a top gate and a potentially floating layer (internal gate), forming at least one gate of the single-pole transistor. The invention is characterised in that the reset contact is of the same type of conductivity as the potentially floating layer and is separated therefrom by a potentially fixed region of a different type of conductivity.
公开/授权文献
- EP0719455A1 UNIPOLARTRANSISTOR MIT INTEGRIERTER RÜCKSETZSTRUKTUR 公开/授权日：1996-07-03
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