发明公开
EP0795893A1 Method of etching a III-V semiconductor by means of a plasma generated in SiC14
失效
Verfahren zumÄtzeneines III-V Halbleiters手套在SiC14 erzeugten等离子体
- 专利标题： Method of etching a III-V semiconductor by means of a plasma generated in SiC14
- 专利标题（中）： Verfahren zumÄtzeneines III-V Halbleiters手套在SiC14 erzeugten等离子体
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申请号： EP97301372.5申请日： 1997-02-28
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公开(公告)号： EP0795893A1公开(公告)日： 1997-09-17
- 发明人: Bestwick, Timothy David , Tombling, Craig
- 申请人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
- 申请人地址： 22-22 Nagaike-cho Abeno-ku Osaka 545 JP
- 专利权人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
- 当前专利权人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
- 当前专利权人地址： 22-22 Nagaike-cho Abeno-ku Osaka 545 JP
- 代理机构： Pearce, Anthony Richmond
- 优先权： GB9604189 19960228
- 主分类号： H01L21/306
- IPC分类号： H01L21/306 ; H01L33/00 ; H01S3/19
摘要：
An (Al,Ga)As/(Al,Ga,In)P semiconductor layer structure is etched using an SiCl 4 or an SiCl 4 /(He,Ne) plasma. The etching is carried out at 0 to 80°C and at a plasma pressure below 1.33x10 -1 Pa (1 mTorr). The etched surfaces are sufficiently smooth for the etching process to be used in the production of (Al,Ga)As/(Al,Ga,In)P semiconductor lasers.
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