发明公开
EP0905773A2 Method of making an integrated circuit comprising forming spacers from an interlevel dielectric layer
审中-公开
一种用于生产包括电介质中间层的间隔物的形成的集成电路处理
- 专利标题： Method of making an integrated circuit comprising forming spacers from an interlevel dielectric layer
- 专利标题（中）： 一种用于生产包括电介质中间层的间隔物的形成的集成电路处理
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申请号： EP98307905.4申请日： 1998-09-29
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公开(公告)号： EP0905773A2公开(公告)日： 1999-03-31
- 发明人: Gambino, Jeffrey P. , Bronner, Gary , Alsmeier, Johann
- 申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , International Business Machines Corporation
- 申请人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- 专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT,International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT,International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- 代理机构： Litchfield, Laura Marie
- 优先权： US940236 19970930
- 主分类号： H01L21/8242
- IPC分类号： H01L21/8242 ; H01L21/8234
摘要：
An efficient method of forming deep junction implants in one region without affecting the implant of a second region of an integrated circuit is provided. This is achieved by forming spacers of deep junction devices with the same material used to fill the gaps of shallow junction devices.
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