发明授权
- 专利标题： Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
- 专利标题（英）： Method of manufacturing a semiconductor device
- 专利标题（中）： 一种用于制造半导体器件的工艺
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申请号： EP99105691.2申请日： 1999-03-19
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公开(公告)号： EP0944118B1公开(公告)日： 2001-11-21
- 发明人: Lell, Alfred
- 申请人： Infineon Technologies AG
- 申请人地址： St.-Martin-Strasse 53 81669 München DE
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： St.-Martin-Strasse 53 81669 München DE
- 代理机构： Fischer, Volker, Dipl.-Ing.
- 优先权： DE19812199 19980319
- 主分类号： H01L31/12
- IPC分类号： H01L31/12 ; H01L31/173 ; H01L31/153 ; H01L33/00 ; H01S5/02
公开/授权文献
- EP0944118A1 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung 公开/授权日：1999-09-22
信息查询
IPC分类:
