发明授权
EP0958610B1 A BIPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SEMICONDUCTOR LAYERS OF SiC AND A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE OF SiC
失效
根据上述制造的SiC器件，SiC半导体层和方法双极型半导体装置
- 专利标题： A BIPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SEMICONDUCTOR LAYERS OF SiC AND A METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE OF SiC
- 专利标题（中）： 根据上述制造的SiC器件，SiC半导体层和方法双极型半导体装置
-
申请号： EP97932077.7申请日： 1997-06-25
-
公开(公告)号： EP0958610B1公开(公告)日： 2012-11-14
- 发明人: BAKOWSKI, Mietek , BLEICHNER, Harry , GUSTAVSSON, Ulf
- 申请人： CREE, INC.
- 申请人地址： 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 US
- 专利权人： CREE, INC.
- 当前专利权人： CREE, INC.
- 当前专利权人地址： 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 US
- 代理机构： Cross, Rupert Edward Blount
- 优先权： SE9602993 19960816
- 国际公布： WO1998008259 19980226
- 主分类号： H01L29/24
- IPC分类号： H01L29/24 ; H01L29/70 ; H01L21/20
信息查询
IPC分类:
