发明公开
- 专利标题： DRAM trench capacitor
- 专利标题（中）： DRAM Grabenkondensator
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申请号： EP99304812.3申请日： 1999-06-18
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公开(公告)号： EP0967644A2公开(公告)日： 1999-12-29
- 发明人: Schrems, Martin , Mandelman, Jack , Hoepfener, Joachim , Schaefer, Herbert , Stengl, Reinhard
- 申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , International Business Machines Corporation
- 申请人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- 专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT,International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT,International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- 代理机构： Litchfield, Laura Marie
- 优先权： US105580 19980626
- 主分类号： H01L21/8242
- IPC分类号： H01L21/8242 ; H01L27/108
摘要：
A bottle-shaped trench capacitor having an expanded lower trench portion with an epi layer therein. The epi layer serves as the buried plate of the trench capacitor. A diffusion region surrounds the expanded lower trench portion to enhance the dopant concentration of the epi layer. The diffusion region is formed by, for example, gas phase doping, plasma doping, or plasma immersion ion implantation.
公开/授权文献
- EP0967644A3 DRAM trench capacitor 公开/授权日：2003-07-02
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IPC分类:
