发明授权
EP0982819B1 Epitaxial facet formation for laser diodes based on III-V material systems
有权
基于III-V族材料通过外延生长制备激光二极管的端面
- 专利标题： Epitaxial facet formation for laser diodes based on III-V material systems
- 专利标题（中）： 基于III-V族材料通过外延生长制备激光二极管的端面
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申请号： EP99112852.1申请日： 1999-07-02
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公开(公告)号： EP0982819B1公开(公告)日： 2005-06-01
- 发明人: Chen, Yong , Wang, Shih-Yuan
- 申请人： Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation)
- 申请人地址： 395 Page Mill Road Palo Alto, CA 94303 US
- 专利权人： Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation)
- 当前专利权人： Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation)
- 当前专利权人地址： 395 Page Mill Road Palo Alto, CA 94303 US
- 代理机构： Liesegang, Eva
- 优先权： US140976 19980827
- 主分类号： H01S5/02
- IPC分类号： H01S5/02 ; H01S5/323
公开/授权文献
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