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发明公开
EP1039514A1 APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD 审中-公开
设备技术的半导体元件和方法

APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
摘要：
A crystal growing apparatus comprises a vacuum vessel (10), a heating lamp (12), a lamp controller (13) for controlling the heating lamp (12), a gas inlet port (14), a flow rate adjuster (15) for adjusting the flow rate of a gas, a pyrometer (19) for measuring the temperature of a substrate, and a gas supply unit (30) for supplying a Si 2 H 6 gas or the like to the vacuum vessel (10). An apparatus for ellipsometric measurement comprises: a light source (20), a polariscope (21), a modulator (22), an analyzer (24), a spectroscope/detector unit (25), and an analysis control unit (26) for calculating Ψ, Δ. In removing a chemical oxide film on the substrate therefrom, in-situ ellipsometric measurement allows a discrimination between a phase 1 during which a surface of the substrate is covered with the oxide film and a phase 2 during which the surface of the substrate is partially exposed so that the supply of gas suitable for the individual phases is performed and halted.
摘要（中）：

一种晶体生长装置包括真空容器（10），一个加热灯（12），一个灯控制部（13），用于控制加热灯（12），一个进气口（14），流量调整器（15），用于 调节气体的流量，用于测量衬底温度的高温计（19），和用于提供一个Si2H6气体或等向真空容器（10）的气体供给单元（30）。 对于椭偏测量的装置，包括：一个光源（20），一个偏光镜（21），调制器​​（22）到分析器（24），分光器/检测器单元（25），并分析控制单元（26），用于 计算PSI DELTA。 在从原位那里去除化学氧化膜在衬底上椭偏测量允许哪个期间基板的表面覆盖有氧化物膜和在基片的表面部分地露出的阶段2的相位1之间的判别 所以没有适合于各相气体的供给被执行和暂停。

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