发明公开
EP1040527A2 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT FÜR DEN INFRAROTEN WELLENLÄNGENBEREICH
审中-公开
光电子器件FOR红外波长范围
- 专利标题： OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT FÜR DEN INFRAROTEN WELLENLÄNGENBEREICH
- 专利标题（英）： Opto-electronical component for the infrared wavelength range
- 专利标题（中）： 光电子器件FOR红外波长范围
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申请号： EP98966531.0申请日： 1998-12-11
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公开(公告)号： EP1040527A2公开(公告)日： 2000-10-04
- 发明人: MANTL, Siegfried , LENSSEN, Daniel , BAY, Helge
- 申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
- 申请人地址： Wilhelm-Johnen-Strasse 52425 Jülich DE
- 专利权人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
- 当前专利权人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
- 当前专利权人地址： Wilhelm-Johnen-Strasse 52425 Jülich DE
- 优先权： DE19754945 19971211
- 国际公布： WO9930372 19990617
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00
摘要：
A silicon-based, IC-compatible luminescent diode (LED) or laser diode (LD) has a light-emitting layer based on semiconductor ruthenium silicide (Ru2Si3) on silicon for the near infrared wavelength range around 1.5 νm. This component has an epitaxial Si/Ru2Si3Si or Si/Ru2Si3 heterostructure with band discontinuities of more than 0.05 eV for electrons or holes in order to achieve charge carrier confinement and thus an efficient light yield at room temperature.
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IPC分类:
