发明授权
EP1061083B1 Adduct of a dialkylgalliumazide with hydrazine for MOCVD of GaN
有权
Dialkylgalliumazid的肼加合物作为用于氮化镓的化学气相沉积分子前体
- 专利标题： Adduct of a dialkylgalliumazide with hydrazine for MOCVD of GaN
- 专利标题（中）： Dialkylgalliumazid的肼加合物作为用于氮化镓的化学气相沉积分子前体
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申请号： EP00112587.1申请日： 2000-06-14
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公开(公告)号： EP1061083B1公开(公告)日： 2003-04-02
- 发明人: Kim, Yun-Soo , Kim, Chang-Gyoun , Yu, Seung-Ho
- 申请人： Korea Research Institute of Chemical Technology
- 申请人地址： 100, Jang-dong, Yuseong-gu Daejeon 305-343 KR
- 专利权人： Korea Research Institute of Chemical Technology
- 当前专利权人： Korea Research Institute of Chemical Technology
- 当前专利权人地址： 100, Jang-dong, Yuseong-gu Daejeon 305-343 KR
- 代理机构： Goddar, Heinz J., Dr.
- 优先权： KR9922240 19990615
- 主分类号： C07F5/00
- IPC分类号： C07F5/00 ; H01L21/205
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