发明公开
EP1075027A2 Kontaktierung von Metalleiterbahnen eines integrierten Halbleiterchips
审中-公开
Kontaktierung von Metalleiterbahnen eine integrierten Halbleiterchips
- 专利标题： Kontaktierung von Metalleiterbahnen eines integrierten Halbleiterchips
- 专利标题（英）： Contacting of metal interconnections of integrated semiconductor chips
- 专利标题（中）： Kontaktierung von Metalleiterbahnen eine integrierten Halbleiterchips
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申请号： EP00116723.8申请日： 2000-08-02
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公开(公告)号： EP1075027A2公开(公告)日： 2001-02-07
- 发明人: Baenisch, Andreas , Kling, Sabine
- 申请人： Infineon Technologies AG
- 申请人地址： St.-Martin-Strasse 53 81541 München DE
- 专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人： Infineon Technologies AG
- 当前专利权人地址： St.-Martin-Strasse 53 81541 München DE
- 代理机构： Zedlitz, Peter, Dipl.-Inf.
- 优先权： DE19936862 19990805
- 主分类号： H01L23/528
- IPC分类号： H01L23/528
摘要：
Ein integrierter Halbleiterchip weist wenigstens zwei Metalleiterbahnen (1, 2) zweier unterschiedlicher Metallisierungsebenen (11, 12) auf, die parallel zueinander angeordnet sind. Die Metalleiterbahnen (1, 2) sind über wenigstens eine elektrisch leitende Kontaktstelle (3) miteinander verbunden. Die Metalleiterbahnen (1, 2) verlaufen in einem ersten Bereich (10) je Richtung orthogonal zueinander. In einem zweiten Bereich (20), in dem sie miteinander kontaktiert sind, verlaufen sie je Richtung parallel zueinander und schiefwinklig zu den Richtungen der Metalleiterbahnen (1, 2) des ersten Bereichs (10). Mit dieser Anordnung wird, bei geringem Einfluß der Elektromigration, ein vergleichsweise geringer notwendiger Platzbedarf zur Kontaktierung von zueinander orthogonalen Metalleiterbahnen ermöglicht.
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