发明授权
- 专利标题： SiC field-effect transistor and use thereof as gas sensor
- 专利标题（中）： 碳化硅场效应晶体管和使用相同的气体传感器
-
申请号： EP00928059.5申请日： 2000-04-20
-
公开(公告)号： EP1186053B1公开(公告)日： 2009-12-30
- 发明人: KONSTANTINOV, Andrei , HARRIS, Christopher , SAVAGE, Susan
- 申请人： Cree Sweden AB
- 申请人地址： Österögatan 3 164 40 Kista SE
- 专利权人： Cree Sweden AB
- 当前专利权人： Cree Sweden AB
- 当前专利权人地址： Österögatan 3 164 40 Kista SE
- 代理机构： Olsson, Jan
- 优先权： SE9901440 19990422
- 国际公布： WO2000065660 20001102
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/24 ; H01L29/423 ; H01L29/08 ; H01L29/10 ; G01N27/414 ; H01L29/06 ; H01L21/04
摘要：
A field effect transistor of SiC for high temperature application has the source region layer (4), the drain region layer (5) and the channel region layer (6, 7) vertically separated from a front surface (14), where a gate electrode (12) is arranged, for reducing the electric field at said surface in operation of the transistor and in the case of operation as a gas sensor permitting all electrodes except for the gate electrode to be protected from the atmosphere.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
