发明公开
- 专利标题： SEMICONDUCTOR LASER WITH TEMPERATURE INDEPENDANT PERFORMANCES
- 专利标题（中）： 与温度无关大功率半导体激光器
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申请号： EP00938259.9申请日： 2000-06-09
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公开(公告)号： EP1188208A1公开(公告)日： 2002-03-20
- 发明人: PETERS, Frank, A. , MAC DOUGAL, Michael, H.
- 申请人： Gore Enterprise Holdings, Inc.
- 申请人地址： 551 Paper Mill Road,P.O. Box 9206 Newark, DE 19714-9206 US
- 专利权人： Gore Enterprise Holdings, Inc.
- 当前专利权人： Gore Enterprise Holdings, Inc.
- 当前专利权人地址： 551 Paper Mill Road,P.O. Box 9206 Newark, DE 19714-9206 US
- 代理机构： Shanks, Andrew
- 优先权： US334590 19990616
- 国际公布： WO0077896 20001221
- 主分类号： H01S5/183
- IPC分类号： H01S5/183
摘要：
Diode lasers are fabricated whose performance is essentially unchanged over designed temperature and bias ranges. The threshold current (Ith) and the external efficiency (θext) of the diode lasers are unchanged over a range of specified temperatures.
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