发明授权
- 专利标题： Vertical cavity surface-emitting laser diode having a spacer for effective diffusion of holes between p-type electrode and active layer, and method for manufacturing the same
- 专利标题（中）： 表面发射垂直腔的激光和用于p电极与活性层及其制造方法之间的孔的有效扩散的隔离层
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申请号： EP02250606.7申请日： 2002-01-29
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公开(公告)号： EP1233493B1公开(公告)日： 2010-05-26
- 发明人: Park, Yong-jo , Jeon, Heon-su , Ha, Kyoung-ho , Park, Si-hyun
- 申请人： Samsung Electro-Mechanics Co. Ltd.
- 申请人地址： 314, Maetan-dong, Paldal-gu Suwon-city, Kyungki-do KR
- 专利权人： Samsung Electro-Mechanics Co. Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electro-Mechanics Co. Ltd.
- 当前专利权人地址： 314, Maetan-dong, Paldal-gu Suwon-city, Kyungki-do KR
- 代理机构： Greene, Simon Kenneth
- 优先权： KR2001005065 20010202
- 主分类号： H01S5/183
- IPC分类号： H01S5/183 ; H01S5/042 ; H01S5/343
公开/授权文献
- EP1233493A3 GaN based vertical cavity surface emitting laser diode 公开/授权日：2004-08-18
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